Các loại transistor xuyên hầm cộng hưởng

(Bản scan) Transistor xuyên hầm cộng hưởng trạng thái kích thích (BSRTT) được đề xuất lần đầu tiên bởi Schulman và haddad và waldner. Mức năng lượng đầu tiên trong giếng lượng tử khá lớn nhờ vào các điện tử bị giam cầm để thu được một trở dẫn ở cực nền tốt. Thay đổi điện thế áp vào lớp này sẽ làm thay đổi dải cấu trúc và vị trí của mức năng lượng thứ hai.