Bài giảng Công nghệ truyền tải quang - Chương 6: Phân cực cho transistor bjt

*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Chương 6: PHÂN CỰC CHO TRANSISTOR BJT *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*I. ĐẠI CƯƠNG Transistor có rất nhiều ứng dụng trong các thiết bị điện tử, tuỳ theo từng ứng dụng cụ thể mà transistor cần phải được cung cấp điện áp và dòng điện cho từng chân một cách thích hợp. Việc chọn điện áp nguồn và điện trở ở các chân transistor gọi là phân cực cho transistor.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*II. PHÂN CỰC BẰNG HAI NGUỒN 1. Trường hợp không có REXét mạch điện hình 7.1 là mạch phân cực cho transistor có độ khuếch đại dòng điện  = 100 và VBE = 0,6V.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Ở ngõ vào nguồn VBB cung cấp dòng điện IB cho cực B qua điện trở RB.Ta có: Suy ra dòng điện ở cực thu là: IC = .IB = 100  20A = 2mA.Ở ngõ ra dòng điện IC được cung cấp do nguồn VCC và dòng điện IC qua điện trở RC tạo giảm áp.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Ta có: VCE = VCC – IC.RC = 12V – (2mA  3k) = 6VTrên transistor có dòng điện IC qua và chịu điện áp VCE nên tiêu hao một công suất là: P = VCE.IC = 6V  2mA = 12mWTừ các trị số dòng điện và điện áp trên ta có thể xác định điểm làm việc của transistor trên đặc tuyến ngõ ra.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Từ công thức tính VCE ta có thể suy ra công thức tính IC như sau:- Nếu: IC = 0 thì VCE = VCC- Nếu: VCE = 0V thì IC = = ICmaxĐườøng thẳng nối hai điểm VCE = VCC và ICmax = gọi là đường tải tĩnh theo công thức:*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Điểm làm việc của transistor là điểm có tọa độ Q (VCE = 6V, IC = 2mA) nằm trên đường tải tĩnh. Khi thay đổi dòng điện IB sẽ làm thay đổi dòng điện IC và điểm làm việc của transistor sẽ thay đổi vị trí trên đườøng tải tĩnh (hình 7.2).*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Đặc tuyến ngõ ra*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử* 2. Trường hợp có RETrường hợp mạch điện hình 7.3 có thêm điện trở RE ở cực E và có dòng điện IE đi qua (IE  IC = .IB) sẽ tạo ra điện áp VB nên dòng điện ở ngõ vào IB được tính theo công thức: VBB = IB.RB + VBE + IE.REThay IE  .IB vào công thức trên ta có: VBB = IB . RB + VBE +  . IB . RE  VBB = IB (RB + .RE) + VBE*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Suy ra: IC  IE = .IB = 100  20A = 2mA *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Ta có thể tính điện áp từng chân của transistor so với điểm 0V theo các công thức VE = IE.RE = 2mA  0,5k = 1V VB = VE + VBE = 1V + 0, 7V = 1,7V VC = VCC – (IC.RC) = 12V – (2mA  2,5k) = 7VXét mạch ngõ ra để tìm phương trình đường tải tĩnh: VCC = (IC.RC) + VCE + (IE.RE) (với IE  IC)*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Suy ra: VCC = IC (RC + RE) + VCEPhương trình đường tải tĩnh là:Nếu: IC = 0 thì VCE = VCCNếu: VCE = 0V thì IC = = ICmax Nối liền hai điểm VCE = VCC và ICmax = ta có đường tải tĩnh (hình 7.4).*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Điện áp VCE ở điểm làm việc Q được tính theo công thức: VCE = VCC – IC (RC + RE) = 12V – 2mA (2,5k + 0,5k) = 6Vhay có thể tính được trực tiếp từ điện áp VC và VE đã có: VCE = VC – VE = 7V – 1V = 6VĐiểm làm việc của Transistor là điểm nằm trên đường tải tĩnh và có tọa độ Q (VCE = 6V, IC = 2mA) (hình 7.4).*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử* III. PHÂN CỰC BẰNG NGUỒN CHUNG1- Phân cực cho cực B bằng điện trở RB*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Trong mạch điện hình 7.5 cực B dùng nguồn VCC giảm áp bằng điện trở RB nên dòng điện ngõ vào được tính theo công thức: VCC = IB.RB + VBE + IE.RE VCC = IB.RB + VBE + .IB.RE VCC = IB (RB + .RE) + VBE Suy ra:*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Dòng điện cực thu ở ngõ ra: IC = .IB = 100  20A = 2mA IE  IC = 2mATính điện áp các chân: VE = IE.RE = 2mA  0,5k = 1V VB = VE + VBE = 1V + 0,7V = 1,7V VC = VCC – (IB.RC) = 12V – (2mA  2,5k) = 7V*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Dòng điện cực thu ở ngõ ra: IC = .IB = 100  20A = 2mA IE  IC = 2mA Tính điện áp các chân: VE = IE.RE = 2mA  0,5k = 1V VB = VE + VBE = 1V + 0,7V = 1,7V VC = VCC – (IB.RC) = 12V – (2mA  2,5k) = 7V*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Điện áp VB có thể tính theo công thức xét ở ngõ vào: VB = VCC – (IB.RB) = 12V – (20A  520k)  1,6V Phương trình đường tải tĩnh là:Trong mạch điện hình 7.5 có điện trở RE và RC giống như điện trở trong mạch điện 7.3 nên mạch này cũng có đường tải tĩnh và điểm làm việc giống như hình 7.4.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*2. Phân cực cho cực B bằng cầu phân áp*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*2. Phân cực cho cực B bằng cầu phân ápTrong mạch điện hình 7.6 cực B được phân cực bằng nguồn VCC giảm áp qua cầu phân áp RB1 – RB2. Ở ngõ vào có hai dòng điện là IR từ nguồn VCC đi qua hai điện trở RB1 và RB2 xuống mass và dòng điện IB từ nguồn qua điện trở RB1 vào transistor. Việc tính toán dòng điện và điện áp ở các chân transistor sẽ phức tạp hơn các mạch trên.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Để tính toán phân cực cho transistor trong mạch này người ta dùng định lý Thevenin để đổi nguồn điện ngõ vào từ VCC và cầu phân áp RB1 – RB2 thành nguồn VBB và RB như mạch điện hình 7.7. Công thức đổi nguồn điện theo định lý Thevenin là:*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Sau khi đổi nguồn ở ngõ vào, mạch điện hình 7.6 được đổi thành hình 7.7 và cách tính giống như trường hợp phân cực bằng hai nguồn riêng. Ta vẫn tính dòng điện ngõ vào IB theo công thức:Từ dòng điện IB ta có thể suy ra IC, IE và các điện áp VE, VB, VC và vẽ đường tải tĩnh tương tự các mạch trên.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*IV. ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ ĐỐI VỚI TRANSISTOR Hầu hết các thông số của transistor đều bị thay đổi theo nhiệt độ, trong đó ba thông số chịu ảnh hưởng lớn nhất là dòng điện rỉ ICBO, độ khuếch đại , điện áp phân cực VBE.1. Ảnh hưởng đối với ICBODòng điện rỉ ICBO là dòng các hạt tải thiểu số, khi nhiệt độ tăng thì dòng ICBO sẽ tăng theo hàm mũ. *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Thường đối với transistor gecmanium, nhiệt độ tăng lên 120C thì dòng ICBO tăng gấp đôi, đối với transistor silic, nhiệt độ tăng 80C thì dòng ICBO tăng gấp đôi. Tuy độ tăng dòng rỉ ICBO của silic lớn hơn germanium nhưng dòng rỉ ở nhiệt độ xác định của silic lại rất nhỏ so với dòng rỉ germanium. Do đó, đối với transistor germanium yếu tố nhiệt độ ảnh hưởng lên dòng rỉ quan trọng hơn loại transistor silic.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*2. Ảnh hưởng đối với độ khuếch đại Như đã biết độ khuếch đại  thay đổi theo dòng điện IC. Khi nhiệt độ tăng làm dòng điện IC tăng và  tăng theo.3. Ảnh hưởng đối với phân cực VBE Điện áp phân cực VBE khoảng 0,6V đến 0,7V cho transistor Si và khoảng 0,1V đến 0,3V cho transistor Ge. Khi nhiệt độ tăng, VBE sẽ bị giảm. Thông thường, khi nhiệt độ tăng 10C thì VBE giảm khoảng 2,4mV. Trong ba thông số trên dòng điện rỉ ICBO có ảnh hưởng quan trọng nhất.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Để tránh các ảnh hưởng của nhiệt độ lên các thông số của transistor có thể làm sai điểm làm việc tĩnh Q, người ta dùng các biện pháp phân cực cho transistor như sau:V. CÁC PP ỔN ĐỊNH NHIỆT*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*1. Dùng điện trở RE để ổn định nhiệtTheo mạch điện hình 7.8a, khi nhiệt độ tăng thì dòng điện IC tăng lên làm dòng điện IE tăng theo. Khi IE tăng sẽ làm VE tăng (VE = IE.RE) trong khi điện áp phân cực VB sẽ giảm xuống (VBE = VB- VE) làm cho dòng điện IB giảm xuống theo đặc tính ngõ vào IB/ VBE. Dòng điện IB giảm sẽ kéo theo IC giảm xuống và nhiệt độ transistor sẽ được ổn định. *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử* 2. Dùng điện trở RB hồi tiếp từ cực CTheo mạch điện hình 7.8b điện áp phân cực VB được lấy từ cực C giảm áp qua điện trở RB. Trong mạch này dòng điện ngõ vào IB được tính theo công thức:Khi nhiệt độ tăng làm IC tăng và VC bị giảm (vì VC = VCC – IC.RC). Theo công thức trên khi VC giảm sẽ làm cho IB bị giảm xuống kéo theo IC giảm xuống, nhiệt độ transistor được ổn định. *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*3. Dùng cầu phân áp có điện trở nhiệtMạch điện hình 7.8c có điện trở nhiệt Th ghép song song điện trở RB2 là loại điện trở nhiệt có hệ số nhiệt âm. Điện trở này được đặt gần vỏ của transistor nên khi nhiệt độ của transistor tăng lên thì điện trở nhiệt bị nóng và giảm trị số điện trở làm giảm thấp điện áp phân cực VB. Lúc đó dòng điện IB giảm xuống kéo IC giảm theo.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*BA CÁCH RÁP CĂN BẢN VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA TRANSISTOR *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*I. MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR1. Mạch khuếch đại đơn giản*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Trong sơ đồ mạch khuếch đại hình 8.1, transistor có điện trở RC để lấy điện áp của tín hiệu ở ngõ ra, điện trở RE để ổn định nhiệt, cầu phân áp RB1-RB2 phân cực một chiều cho cực B để chọn điểm làm việc tĩnh Q trên đặc tuyến ngõ ra. Các tụ điện C1, C2 gọi là tụ điện liên lạc có tác dụng cách ly điện áp một chiều giữa các chân B và C của transistor với nguồn tín hiệu ở ngõ vào và mạch điện ở ngõ ra. Tụ điện CE ghép song song điện trở RE gọi là tụ phân dòng để lọc bỏ tín hiệu xoay chiều trên cực E xuống mass.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Các tụ điện C1, C2, CE có trị số được chọn sao cho có dung kháng rất nhỏ so với trị số các điện trở trong mạch ở tần số của tín hiệu khuếch đại.Điện trở RS là nội trở của nguồn tín hiệu VS. Nguồn tín hiệu VS có biên độ hiệu dụng nhỏ ở mức vài mV đến vài chục mV.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*2. Xét trạng thái tĩnh điệnMạch điện hình 8.1 giống như mạch phân cực cho cực B bằng cầu phân áp hình 7.6 nên việc tính toán các dòng điện và điện áp ở mỗi transistor cũng giống như vậy.Ta có: Trong đó: VBB và RB được tính theo định lý Thevenin.Suy ra: IC = IE = 2mA VC = 7V, VE = 1V, VB = 1,7V VBE = 0,7V, VCE = 6V*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Tương tự, ta có thể vẽ đường tải tĩnh như đặc tuyến ngõ ra hình 8.2b theo phương trình đường tải là: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*3. Xét trạng thái xoay chiềuTác dụng của các tụ điện:và Ở trạng thái xoay chiều thì phải xét dung kháng của các tụ C1, C2 và CE.Giả sử đây là mạch khuếch đại tín hiệu âm tần và tần số âm tần được chọn để tính toán là f = 1kHz.Ta có: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Dung kháng XC1, XC2 và XCE có giá trị rất nhỏ so với các trị số điện trở trong mạch nên được coi như nối tắt. Mặt khác, điện áp nguồn VCC cũng có một tụ lọc nguồn trị số rất lớn nên nguồn VCC cũng được coi như nối tắt xuống mass đối với xoay chiều (gọi là mass xoay chiều). Như vậy, ở trạng thái xoay chiều mạch điện hình 8.1 có thể vẽ lại như hình 8.3:*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Tổng trở ngõ vào:Trong mạch tương đương ở trạng thái xoay chiều hình 8.3 thì ri là điện trở ngõ vào của transistor xét từ cực B đến cực E. Ba điện trở RB1­, RB2 và ri song song với nhau gọi là tổng trở ngõ vào Ri trong đó RB1 và RB2 song song chính là RB.Ta có: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Đường tải động:Ở ngõ ra do tụ phân dòng CE nối tắt đối với xoay chiều nên cực E nối mass. Lúc đó, điện trở tải chỉ còn có RC, do đó, đường tải ở trạng thái xoay chiều gọi là đường tải động khác với đường tải tĩnh. Đường tải động là đường đi qua điểm Q và cắt trục IC ở điểm ICmax = *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Xét sự biến thiên của tín hiệu:Giả sử nguồn tín hiệu VS có biên độ tín hiệu trị số đỉnh là VS(p) =  22mV điện áp này giảm qua nội trở nguồn RS và cho điện áp xoay chiều vào transistor theo công thức: Như vậy, điện áp vào transistor có trị số đỉnh là: Vi(p) = 0,68VS(p) = 0,6822.10-3 = 15mV*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử* * Khi tín hiệu vào transistor có bán kỳ dương (+ 15mV): Ở ngõ vào điện áp VBE tăng làm IB tăng từ 20A lên 30A (hình 8.2a). Ở ngõ ra dòng điện IC tăng từ 2mA lên 3mA (hình 8.2b) và làm điện áp VC giảm xuống theo công thức: VC = VCC – IC.RC = 12– (3.10-32,5.103) = 4,5V Mức biến thiên xoay chiều của IC là: IC = 3mA – 2mA= +1mA (bán kỳ dương) Mức biến thiên xoay chiều của VCE là: VCE = 4,5V – 7V = -2,5 (bán kỳ âm)*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử**402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử** Khi tín hiệu vào transistor có bán kỳ âm (-15mV): Ở ngõ vào điện áp VBE giảm làm IB giảm từ 20A xuống 10A. Ở ngõ ra dòng điện IC giảm từ 2mA xuống còn 1mA và làm điện áp VC tăng lên theo công thức: VC = VCC – IC.RC = 12 – (1.10-3  2,5.103) = 9,5V Mức biến thiên xoay chiều của IC là: IC = 1mA – 2mA = -1mA(bán kỳ âm) Mức biến thiên xoay chiều của VCE là: VCE = 9,5V – 7V = +2,5V(bán kỳ dương)*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*e) Xét góc pha của các tín hiệu:Ở ngõ vào điện áp vi = vbe và dòng điện ib đồng pha nhau.Dòng điện ib và ic là hai dòng điện đồng pha nhau.Ở ngõ ra dòng điện ic và điện áp vce đảo pha nhau.Suy ra: vce và vi là hai điện áp đảo pha nhau.Hình 8.4 cho thấy góc pha của các dòng điện và điện áp ở ngõ vào và ngõ ra.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*4. Tính độ khuếch đạia) Độ khuếch đại dòng điện:Độ khuếch đại dòng điện là tỉ số giữa dòng điện xoay chiều ở ngõ ra và ngõ vào. *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*b) Độ khuếch đại điện áp:Độ khuếch đại điện áp là tỉ số giữa điện áp xoay chiều ở ngõ ra và ngõ vào.Xét độ khuếch đại điện áp riêng của transistor: (dấu trừ (-) chỉ đảo pha) Thay số vào ta có: AV = -100  Dấu (-) trong công thức có ý nghĩa là tín hiệu ở ngõ ra và ngõ vào đảo pha nhau. = - 166 lần*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Xét độ khuếch đại điện áp chung của mạch.Ta đã có: Suy ra: Thay vào AVS ta có: Thay số vào ta có: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Kết luận: Trong mạch điện tử transistor có tác dụng khuếch đại tín hiệu xoay chiều từ biên độ nhỏ lên biên độ lớn hơn nhiều lần cả về điện áp và cường độ dòng điện. Từ độ khuếch đại điện áp AV và độ khuếch đại dòng điện Ai ta có thể tính được độ khuếch đại công suất của transistor theo công thức: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử* II. BA CÁCH RÁP CĂN BẢN Mạch khuếch đại hình 8.1 có tín hiệu vào ở cực B và tín hiệu lấy ra ở cực C, cực E có tụ phân dòng CE xuống mass nên cực E không có tín hiệu xoay chiều được gọi là cực chung. Mạch này gọi là mạch khuếch đại ráp kiểu E chung. Tương tự, transistor còn có thể ráp theo kiểu cực B chung hay C chung.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử* Mạch khuếch đại ráp kiểu E chung (CE: Common Emitter) *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Các thông số kỹ thuật của mạch:a) Tổng trở ngõ vào: b) Tổng trở ngõ ra: c) Độ khuếch đại dòng điện: d) Độ khuếch đại điện áp: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*2. Mạch khuếch đại ráp kiểu B chung (CB: Common Base)*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Các thông số kỹ thuật của mạch:a) Tổng trở ngõ vào: b) Tổng trở ngõ ra: c) Độ khuếch đại dòng điện: d) Độ khuếch đại điện áp: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*III. Độ khuếch đại ráp kiểu C chung(CC: Common Collector)*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Các thông số kỹ thuật của mạch:a) Tổng trở ngõ vào: b) Tổng trở ngõ ra: c) Độ khuếch đại dòng điện: d) Độ khuếch đại điện áp: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử* III. MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA TRANSISTOR Transistor là một linh kiện có tính phi tuyến nhưng nếu xét ở mức tín hiệu nhỏ thì ảnh hưởng của tính phi tuyến không quan trọng. Trong điều kiện này người ta có thể phân tích mạch khuếch đại dùng transistor bằng lý thuyết tuyến tính, trong đó transistor được đổi thành mạch tương đương gồm các phần tử như điện trở, nguồn dòng điện và nguồn điện áp (hình 8.8).*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử**402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Mạch tương đương của transistor có thể vẽ như hình 8.9 trong đó rb là điện trở từ cực B vào giữa vùng bán dẫn của cực B, re là điện trở thuận ở trạng thái xoay chiều của diod BE, rc là điện trở nghịch của diod BC. Điện trở rb có trị số nhỏ khoảng vài chục ohm đến vài trăm ohm. Điện trở re là điện trở động của diod BE nên được tính theo công thức của diod là: *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử**402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Điện trở rc là điện trở nghịch của diod BC có trị số rất lớn khoảng vài trăm kilo-ohm được coi như cách điện giữa C và B, do đó, không có dòng điện từ C qua diod BC ra ở cực B, nhưng có dòng điện IC qua mối nối và ra ở cực E. Như vậy, ở ngõ ra mạch tương đương được đổi lại là cực C không dính vào cực B và có nguồn dòng điện IC đi từ C qua E (hình 8.10).*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Mạch tương đương của transistor dùng thông số hybrid (gọi là thông số lai) nên các thông số có ký hiệu chữ h như: - hie = tổng trở ngõ vào kiểu E chung (i: input) - hfe = độ khuếch đại dòng điện thuận kiểu E chung (f: forward) - hoe = tổng dẫn ngõ ra (nghịch đảo của tổng trở ngõ ra) kiểu E chung (o: output).*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*1. Mạch tương đương kiểu E chung -Tính tổng trở ngõ vào:-Tổng trở ngõ ra: ro = = vài chục - vài trăm k.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Do ro có trị số rất lớn nên nhiều trường hợp có thể bỏ ro.- Tính độ khuếch đại dòng điện: - Tính độ khuếch đại điện áp:Xét góc pha: điện áp của tín hiệu vào ra đảo pha.(  vài chục đến vài trăm)(  vài trăm lần)*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*2. Mạch tương đương kiểu B chung- Tính tổng trở ngõ vào: (  vài chục ohm) *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*- Tổng trở ra:- Tính độ khuếch đại dòng điện:- Tính độ khuếch đại điện áp: Xét góc pha: điện áp của tín hiệu vào và ra đồng pha. vài trăm k (vì BC phân cực ngược)(  vài trăm lần)*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*3. Mạch tương đương kiểu C chung- Tính tổng trở ngõ vào: ri = rb + .re + .RE ri = hie + .RE (  vài trăm k)*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*- Tính tổng trở ngõ ra:Điện trở RB là điện trở của cầu phân áp RB1 song song RB2.Khi đứng từ ngõ ra nhìn vào mạch thì ta thấy điện trở RB song song nội trở của nguồn rs. Thường điện trở RB rất lớn so với rs­ nên điện trở tương đương của RB­ song song rs cũng chính là rs. Mạch tương đương được vẽ lại như hình 8.13b.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*Tổng trở ngõ ra là: Theo mạch tương đương thì các điện trở rs, rb và re ghép nối tiếp nhau và song song với điện trở tải RE. Ta có: ve = ie.RE = ib (rs + rb + re)(  vài chục ) Suy ra *402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*- Tính độ khuếch độ dòng điện:  - Tính độ khuếch đại điện áp: Xét góc pha: Khi VB tăng làm IB tăng và IE tăng nên VE cũng tăng theo, do đó, điện áp của tín hiệu vào và ra đồng pha.(vì rb +  re << RE)**IV. BẢNG SO SÁNH CÁC THÔNG SỐ THEO BA CÁCH RÁPCaùch raùpE chungB chungC chungToång trôû vaøo rihie = rb + re(vaøi traêm ) (vaøi chuïc )hie + RE(vaøi traêm k)Toång trôû ra roVaøi chuïc kVaøi traêm k (vaøi chuïc )Ñoä khueách ñaïi ñieän aùp AV (vaøi traêm laàn) (vaøi traêm laàn) 1Ñoä khueách ñaïi doøng ñieän Aihfe =  (vaøi chuïc – vaøi traêm) 1 +1 (vaøi chuïc – vaøi traêm)Pha giöõa tín hieäu vaøo vaø raÑaûo phaÑoàng phaÑoàng pha**Nhận xét:Transistor ráp kiểu E chung có độ khuếch đại mạnh nhất vì AI và AV đều lớn.Transistor ráp kiểu B chung có ri rất nhỏ (ri = ) và ro rất lớn nên dùng để đổi tổng trở từ nhỏ ra lớn.Transistor ráp kiểu C chung có ri rất lớn và ro rất nhỏ nên dùng để đổi tổng trở từ lớn ra nhỏ.402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*V. BA TRẠNG THÁI CỦA TRANSISTOR1. Trạng thái ngưng dẫnNếu phân cực cho transistor có VBE < V (VBE = 0V-0,6V) thì transistor ngưng dẫn, dòng điện IB = 0, IC = 0 và VCE  VCC.Lúc đó, chỉ có dòng điện rỉ qua transistor rất nhỏ không đáng kể.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*2. Trạng thái khuếch đạiNếu phân cực cho transistor có VBE = 0,6V  0,75V transistor dẫn điện và có dòng điện IB, dòng điện IC tăng theo IB qua hệ số khuếch đại . Lúc đó, điểm làm việc của transistor sẽ nằm trên đường tải tĩnh và khi IB tăng và IC tăng và VCE giảm.*402057 – Vật liệu và Linh Kiện Điện Tử*3. Trạng thái bão hòaNếu phân cực cho transistor có VBE  0,8V thì transistor sẽ dẫn rất mạnh gọi là bão hòa. Lúc đó, IB tăng cao làm IC tăng cao đến mức gần bằng và điện áp VCE giảm còn rất nhỏ ( 0,2V) gọi là điện áp VCEsat (saturation) hay là VCE bão hòa.Ba trạng thái của transistor được mô tả trên đặc tuyến ngõ ra của transistor hình 8.15.