Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải

Bộ KH & CN Bộ quốc phòng Trung tâm Khoa học Kỹ thuật- Công nghệ Quân sự Viện Rađa Báo cáo tổng kết đề tài độc lập cấp nhà n−ớc Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải M∙ số: ĐTĐL- 2005/28G Chủ nhiệm đề tài: TS Nguyễn Thị Ngọc Minh 6715 11/01/2007 Hà Nội - 2007 Bản quyền 2007 thuộc Viện Rađa Đơn xin sao chép toàn bộ hoặc từng phần tài liệu này phải gửi đến Viện tr−ởng Viện Rađa trừ tr−ờng hợp sử dụng với mục đích nghiên cứu. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 1 Danh sách những ng−ời thực hiện TT Họ và tên Cơ quan công tác Nội dung thực hiện chính A Chủ nhiệm đề tài: TS Nguyễn Thị Ngọc Minh Viện Rađa- TTKHKT- CNQS B Cán bộ tham gia đề tài: 1 TS. Tăng Chí Thành Viện Rađa- TTKHKT- CNQS Thành viên đề tài 2 TS. Lê Ngọc Uyên Phó CN đề tài Viện Rađa- TTKHKT- CNQS 3 Ths. Đỗ Huy Tr−ởng Viện Rađa- TTKHKT- CNQS Thành viên đề tài 4 Ths. Nguyễn Văn Hạnh Viện Rađa- TTKHKT- CNQS Thành viên đề tài 5 KS. Trần Thị Trâm Viện Rađa- TTKHKT- CNQS Thành viên đề tài 6 Ths. Hà Danh Long Viện Rađa-TTKHKT-CNQS Thành viên đề tài 7 TS. Nguyễn Thế Hiếu Viện Điện tử Viễn Thông- TTKHKT- CNQS Thành viên đề tài 8 Ths. Phạm Văn Dành Nhà máy Z119- Cục KT PK- KQ. Quân chủng PK-KQ Thành viên đề tài 9 KS. Nguyễn Triều Hoa Viện Điện tử Viễn Thông- TTKHKT- CNQS Thành viên đề tài 10 TS. Bạch Gia D−ơng Phòng Rađa–Viện KT-PK- KQ. Quân chủng PK-KQ Thành viên đề tài 11 KS. Bùi H−ng Nguyên Viện Rađa-TTKHKT-CNQS Thành viên đề tài Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 2 Bài tóm tắt Việc nghiên cứu cơ bản, có định h−ớng để làm chủ công nghệ SCT trở thành yêu cầu cấp bách, đặc biệt đối với nhiệm vụ cải tiến, hiện đại hoá, chế tạo Rađa quân sự trong điều kiện chiến tranh công nghệ cao. Vì vậy việc nghiên cứu ứng dụng các công nghệ mới để thiết kế chế tạo các mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần ứng dụng vào bán dẫn hoá toàn bộ tuyến thu cao tần của một đài rađa để nâng cao độ nhạy máy thu của đài là rất cần thiết. Căn cứ vào nhu cầu cấp bách và khả năng kỹ thuật, khả năng công nghệ của ta, chúng tôi đã chọn đối t−ợng nghiên cứu của đề tài gồm 2 nhánh chính (phân chia theo địa chỉ ứng dụng các sản phẩm của đề tài): • Nghiên cứu thiết kế chế tạo toàn bộ 02 tuyến thu cao tần đài rađa P-37 bao gồm: 02 bộ hạn chế công suất, 02 bộ khuếch đại tạp thấp, 02 bộ trộn tần cân bằng, 02 bộ dao động ngoại sai VCO, 01bộ lọc dải thông, 02 bộ cộng/ chia công suất, 02 bộ tiền khuếch đại trung tần, 02 bộ tự động điều chỉnh tần số (riêng bộ tiền khuếch đại trung tần và bộ tự động điều chỉnh tần số là không có trong nội dung của Hợp đồng vì kinh phí bị hạn chế, nh−ng để có thể lắp lên đài và đánh giá toàn bộ tuyến thu cao tần chúng tôi đã thực hiện). • Nghiên cứu thiết kế chế tạo 02 bộ chuyển mạch điốt PIN và 02 bộ khuếch đại tạp thấp dải rộng trên mạch dải cho 02 kênh thu của đài rađa 55Ж6. Tính mới, tính độc đáo của đề tài: Lần đầu tiên ở Việt nam việc nghiên cứu phát triển và nghiên cứu ứng dụng công nghệ siêu cao tần đ−ợc tiến hành một cách cơ bản, có hệ thống, tạo cơ sở cho việc thiết kế chế tạo các thiết bị siêu cao tần nói chung và rađa nói riêng. Lần đầu tiên trong quân đội việc thiết kế các mạch SCT đ−ợc tiến hành sử dụng phần mềm thiết kế và mô phỏng ADS. −u điểm của ph−ơng pháp thiết kế này là nhanh hơn và tiết kiệm đ−ợc thời gian, vật t− và công sức để cho ra sản phẩm có chất l−ợng cao hơn so với ph−ơng pháp thiết kế thông th−ờng. Việc sử dụng hệ thống gia công mạch dải và thiết bị lắp ráp và hàn dán linh kiện SMD để chế tạo mạch SCT cho khả năng nâng cao chất l−ợng và độ tin cậy của sản phẩm. Sản phẩm của đề tài mang tính khoa học và thực tiễn cao, đ−ợc tạo ra trên cơ sở năng lực Việt Nam nh−ng dần tiếp cận đ−ợc với công nghệ tiên tiến trên thế giới. Các sản phẩm của đề tài đã đ−ợc sử dụng cho đài rađa 55Ж6 (lắp lên một kênh đo xa và một kênh đo cao) tại trạm rađa 19 - trung đoàn 295 - S− 363 từ ngày 25/01/2007, Π - 37 (lắp lên 2 tuyến thu cao tần của đài) tại trạm rađa T-26 -trung đoàn 293 -S− 361 từ ngày 03/07/2007 cho tới nay và trong t−ơng lai có thể phát triển cho các đài rađa khác, phục vụ cho công tác khai thác, cải tiến, hiện đại hoá và thiết kế chế tạo rađa mới. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 3 Mục lục Trang Bảng chú giải các chữ viết tắt, ký hiệu chữ qui −ớc, ký hiệu dấu, đơn vị và thuật ngữ....................................................................................................2 Phần I. Lời mở đầu............................................................................................. 5 Phần II. Nội dung CHíNH CủA BáO CáO.....................................................15 I. Tổng quan tình hình nghiên cứu ngoài n−ớc và trong n−ớc...........................15 I.1. Tình hình nghiên cứu ngoài n−ớc..............................................................15 I.2. Tình hình nghiên cứu trong n−ớc..............................................................15 II. Lựa chọn đối t−ợng nghiên cứu, cách tiếp cận và ph−ơng pháp nghiên cứu..................................................................................18 II.1. Lựa chọn đối t−ợng nghiên cứu................................................................19 II.2. Cách tiếp cận, ph−ơng pháp nghiên cứu, kỹ thuật đã sử dụng..................20 II.3. Tính mới, tính độc đáo của đề tài..............................................................21 III. Những nội dung đã thực hiện..........................................................................21 III.1. Đối với nghiên cứu lý thuyết...................................................................21 III.2. Đối với công việc nghiên cứu thiết kế chế tạo và thử nghiệm các sản phẩm.................................................................................22 III.3. Nghiên cứu thiết kế chế tạo các sản phẩm của đề tài.............................27 III.3.1. Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ chuyển mạch điốt pin dải sóng mét ứng dụng cho đài rađa cảnh giới 55Ж6...............27 III.3.2. Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng mét ứng dụng cho đài rađa cảnh giới 55Ж6.............................31 III.3.3. Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ chuyển mạch điốt pin dải sóng cm ứng dụng cho đài rađa cảnh giới, dẫn đ−ờng Π-37............35 III.3.4. Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ khuếch đại tạp thấp dải sóng cm ứng dụng cho đài rađa cảnh giới, dẫn đ−ờng Π-37...........39 III.3.5. Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ dao động siêu cao tần dải sóng cm ứng dụng cho đài rađa cảnh giới, dẫn đ−ờng Π-37............42 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 4 III.3.6. Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ trộn tần cân bằng dải sóng cm ứng dụng cho đài rađa cảnh giới, dẫn đ−ờng Π-37..........45 III.3.7. Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ cộng/chia công suất dải sóng cm ứng dụng cho đài rađa cảnh giới, dẫn đ−ờng Π-37..........48 III.3.8. Nghiên cứu thiết kế chế tạo bộ lọc dải dải sóng cm ứng dụng cho đài rađa cảnh giới, dẫn đ−ờng Π-37..............................50 IV. Báo cáo về kết quả đo đạc đánh giá trong PTN, kết quả thử nghiệm và ứng dụng các sản phẩm KH & CN của đề tài........................54 IV.1. Kết quả đo đạc đánh giá trong PTN.....................................................54 IV.2. Kết quả thử nghiệm môi tr−ờng...........................................................54 IV.3. Kết quả thực hiện đề tài về mặt thực nghiệm......................................55 IV.3.1. Kết quả thử nghiệm với nhánh sản phẩm lắp trên máy thu cao tần đài rađa П-37.............................................................55 IV.3.2. Kết quả thử nghiệm với nhánh sản phẩm lắp trên máy thu cao tần đài rađa 55Ж-6..........................................................57 Bản tự đánh giá về tình hình thực hiện và những đóng góp mới của đề tài khoa học và công nghệ...................60 Phần III. KếT LUậN Và KIếN NGHị............................................................70 Tài liệu tham khảo....................................................................................72 phụ lục 1: sơ đồ nguyên lý và mạch in các sản phẩm phụ lục 2: biên bản đo kiểm nghiệm và kết qủa đo tại ptn phụ lục 3: biên bản thử nghiệm môi tr−ờng phụ lục 4: biên bản thử nghiệm tại đơn vị Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 5 Bảng chú giải các chữ viết tắt, ký hiệu chữ qui −ớc, ký hiệu dấu, đơn vị và thuật ngữ KĐ : Khuếch đại. KĐTT : Khuếch đại tạp thấp. HCCS : Hạn chế công suất SCT : Siêu cao tần. HSKĐ: Hệ số khuếch đại. VSWR: Hệ số sóng đứng. FET: Transistor hiệu ứng tr−ờng (Field Effect Transistors) KHCN: Khoa học công nghệ Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 6 Phần I. Lời mở đầu Việc nghiên cứu cơ bản, có định h−ớng để làm chủ công nghệ siêu cao tần (SCT) trở thành yêu cầu cấp bách, đặc biệt đối với nhiệm vụ cải tiến, hiện đại hoá, chế tạo Rađa quân sự trong điều kiện chiến tranh công nghệ cao. Hệ thống rađa trong trang bị của quân đội ta hiện nay có số l−ợng lớn, đ−ợc trang bị cho các lực l−ợng PK- KQ, Hải quân, pháo binh, Biên phòng, Tăng thiết giáp, thuộc nhiều chủng loại (nh− Π-12, Π-14, Π-15, Π-18, Π-19, Π-35, Π-37, ΠPB-16, 1Λ13-3, 55ж6-1, Kacta-2E2, 96L-6E), nhiều thế hệ công nghệ, do nhiều n−ớc sản xuất. Trong đó hầu hết thuộc thế hệ thứ nhất, kinh kiện đèn điện tử, kỹ thuật t−ơng tự (Analog), qua nhiều năm sử dụng, số giờ tích luỹ cao, đã xuống cấp nghiêm trọng, hệ số kỹ thuật thấp, tính năng chiến thuật giảm đáng kể. Một số loại rađa mới nhập với số l−ợng không nhiều, thuộc thế hệ thứ hai (sử dụng tín hiệu có cấu trúc phức tạp, thu nén xung, xử lý tối −u) Hiện nay, vật t− phụ tùng thay thế của các hệ thống rađa thế hệ công nghệ cũ trên thị tr−ờng rất khan hiếm, không có khả năng thay thế, sửa chữa để duy trì rađa làm việc bình th−ờng. Do đó buộc chúng ta phải tự nghiên cứu thiết kế, chế tạo thay thế t−ơng đ−ơng bằng linh kiện thế hệ công nghệ mới (bán dẫn, vi mạch, vi xử lý, kinh kiện tích hợp.) nhằm kéo dài thời gian sử dụng, duy trì sức chiến đấu của vũ khí, trang bị, khí tài. Xu h−ớng chung của thế giới là áp dụng kỹ thuật mới, tiên tiến cải tiến, hiện đại hoá rađa hiện có, kể cả các n−ớc có trình độ công nghệ cao và công nghệ sản xuất rađa tiên tiến. Việc nghiên cứu máy thu ít nhiễu tần số siêu cao đã cho ra đời một loạt bộ khuếch đại: KĐ đèn sóng chạy (TOP), KĐ tham số, KĐ dùng điốt Tunel, KĐ dùng điốt Gunn hoặc điốt thác lũ, KĐ dùng transistor l−ỡng cực (Bipolar), KĐ dùng transistor tr−ờng. Transistor tr−ờng xuất hiện vào năm 1986 và đã đạt đ−ợc các ứng dụng tốt. Việc đ−a ra thị tr−ờng các transistor tr−ờng cho phép có thể chế tạo những bộ KĐ có vị trí v−ợt trội trong lĩnh vực máy thu tần số siêu cao ít nhiễu. Các bộ KĐ này có thể áp dụng trong nhiều tr−ờng hợp: rađa cảnh giới, rađa điều khiển hoả lực, theo dõi bám sát mục tiêu... nói chung là dùng trong tất cả các tr−ờng hợp máy thu với yêu cầu độ nhạy cao. Việc sử dụng rộng rãi transistor tr−ờng trong thực nghiệm cho phép bắt tay vào nghiên cứu và chế tạo bộ KĐ tạp thấp, bộ KĐ này có các đặc tr−ng có thể so Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 7 sánh với các đặc tr−ng của các bộ KĐ tham số nh−ng lại có những −u điểm của hệ thống bán dẫn nh−: dải rộng, độ ổn định cao, tiêu thụ năng l−ợng ít, kích th−ớc bé mà lại có độ tin cậy cao. Các bộ khuếch đại tạp thấp đã đ−ợc nghiên cứu phát triển và ứng dụng rộng rãi trong máy thu của các hệ thống điện tử (trong đó có các đài rađa, đài điều khiển tên lửa) thay thế cho các đèn sóng chạy. Hiện nay có thể mua đ−ợc các bộ khuếch đại tạp thấp này theo các hãng điện tử trên thế giới nh−ng với giá thành cao. Để đ−a đ−ợc bộ khuếch đại tạp thấp vào thay đèn sóng chạy trong một số đài rađa đòi hỏi phải có bộ bảo vệ để tránh cho bộ khuếch đại bị đánh thủng vì công suất phát lọt qua đèn cặp nhả điện. Th−ờng thì những bộ khuếch đại chuyên dụng này rất khó mua đơn chiếc ở trên thị tr−ờng. Đài rađa Π-37 đ−ợc đ−a vào trang bị cho Việt Nam từ những năm 1970. Hiện nay tổng số đài rađa Π-37 có khoảng hơn 20 bộ, trong đó phân cấp chất l−ợng chủ yếu là cấp 3. Mỗi đài có 5 kênh thu. Về khả năng phát hiện của đài nói chung bị xuống cấp do thời gian sử dụng lâu và khí hậu khắc nghiệt. Có nhiều nguyên nhân làm giảm khả năng phát hiện của đài trong đó nguyên nhân quan trọng là tuyến thu, trong tuyến thu phải kể tới các nguyên nhân chính sau đây: - Hệ số sóng đứng của đ−ờng truyền cao tần bị tăng do đ−ờng truyền đã sử dụng lâu ngày, khả năng cách điện kém, hoặc do đ−ờng truyền không kín, rò rỉ n−ớc gây đánh lửa khi phát. - Với tình trạng đánh lửa đ−ờng truyền và đèn cặp nhả điện giảm chất l−ợng dẫn đến công suất lọt vào máy thu lớn gây tình trạng các đèn sóng chạy YB-99 bị già nhanh hoặc giảm độ nhạy, hệ số tạp tăng, làm giảm khả năng phát hiện của đài. - Bộ trộn tần của đài rađa Π-37 là trộn tần đơn đ−ợc thiết kế trên ống sóng, sử dụng điốt trộn tần Д-405A (Б) có độ nhạy không cao. Do bộ trộn tần không cân bằng nên tạp của bộ dao động ngoại sai ảnh h−ởng rất lớn đến chất l−ợng tín hiệu thu về. - Bộ dao động ngoại sai của đài rađa Π-37 sử dụng đèn tháp 3 cực CГ-01 đòi hỏi nhiều nguồn điện áp lớn và rất khó chỉnh làm việc ổn định Với các đài rađa thế hệ mới đều sử dụng tín hiệu phát xạ phức tạp (điều tần, điều pha trong xung), công nghệ chế tạo t−ơng đối hiện đại, chủ yếu sử dụng linh kiện bán dẫn, vi mạch, b−ớc đầu áp dụng các thành tựu của công nghệ thông tin vào điều khiển, xử lý và truyền tin. Độ tin cậy, khả năng sống còn cao, bao gồm các đài mới đ−ợc trang bị gần đây nh−: 1Λ13-3, 55ж6-1, Kacta-2E2, 96L-6E. Tuy nhiên, Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 8 mặc dù mới đ−ợc trang bị gần đây (từ năm 1995) nh−ng công tác bảo đảm kỹ thuật cho các đài 1Λ13-3, 55ж6-1 gặp nhiều khó khăn. Đối với các loại rađa thế hệ cũ sử dụng đèn điện tử và các dây giữ chậm, các đèn dao động ngoại sai kiểu Klistron, chủ yếu sử dụng vật t− tồn kho, hoặc vật t− dùng lại. Nhiều chủng loại vật t− khí tài của các thế hệ rađa cũ đã không còn đ−ợc sản xuất, do đó việc mua vật t− thay thế rất hạn chế. Đối với rađa thế hệ mới, giá thành vật t− khí tài rất cao, mặc dù việc mua sắm chủ yếu đ−ợc thực hiện theo cụm, mô đun. Vì vậy khó có thể kịp thời bố trí ngân sách để mua vật t− thay thế phục vụ cho sửa chữa nên kết quả bảo đảm vật t− cho rađa mới còn rất hạn chế làm ảnh h−ởng đến công tác bảo đảm kỹ thuật. Tuy nhiên cho đến nay ở Việt nam ch−a có cơ sở nghiên cứu nào đầu t− nghiên cứu cơ bản và có hệ thống vào thiết kế chế tạo tổng thể một tuyến thu cao tần của một đài rađa. Xuất phát từ nhu cầu thực tiễn nêu trên chúng tôi xây dựng đề tài này nhằm đ−a ra đ−ợc sản phẩm có thể đ−a vào ứng dụng đáp ứng đ−ợc nhu cầu tr−ớc mắt của các nhà máy và mở ra khả năng ta hoàn toàn chủ động trong việc thiết kế chế tạo các mạch tích hợp siêu cao tần làm trên mạch dải (trong đó có các mạch tích hợp thụ động SCT (bộ chuyển mạch điốt PIN, bộ trộn tần cân bằng, bộ lọc dải, bộ cộng/ chia công suất) và các mạch tích hợp tích cực SCT (bộ dao động siêu cao tần VCO, bộ khuếch đại SCT tạp thấp). Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 9 Thông tin chung về đề tài 1. Tên đề tài: Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải. 2. Mã số: ĐTĐL- 2005/28G 3 . Thời gian thực hiện: 18 tháng (từ tháng 01/ 2006 đến tháng 7/ 2007) 4 . Cấp quản lý: Nhà n−ớc 5. Kinh phí: 1,000 tỷ đồng (Một tỷ đồng) Trong đó, từ ngân sách SNKH: 1,000 tỷ đồng 6. Thuộc ch−ơng trình Khoa học và Công nghệ: đề tài độc lập cấp Nhà n−ớc. 7. Chủ nhiệm đề tài: Họ và tên: Nguyễn Thị Ngọc Minh Học hàm, học vị: Tiến sĩ - chuyên ngành: Kỹ thuật siêu cao tần. Chức danh khoa học: Nghiên cứu viên chính Điện thoại: 7560128 / 069.516.130 (CQ); 7333378 (NR) Mobile: 0983005387 Email: vvh220881@hn.vnn.vn Địa chỉ cơ quan: Viện Rađa - Trung tâm KHKT- CNQS- Bộ Quốc Phòng, Nghĩa Đô - Cầu Giấy - Hà Nội. 8. Cơ quan chủ trì đề tài: Tên tổ chức KH & CN: Trung tâm KHKT- CNQS Địa chỉ: K800 Đ−ờng Hoàng Quốc Việt- Nghĩa Đô - Cầu Giấy - Hà Nội Điện thoại: 7564290 Fax: 9. Mục đích của đề tài: - Nghiên cứu ứng dụng công nghệ mới vào thiết kế chế tạo một số mạch tích hợp siêu cao tần ứng dụng trong tuyến thu cao tần của một số đài rađa phục vụ cho công tác khôi phục sửa chữa, cải tiến và sản xuất các đài rađa. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và công nghệ gia công mạch dải. Báo cáo khoa học 10 - Làm chủ công nghệ siêu cao tần. - Tạo ra sản phẩm, phát huy đ−ợc nội lực và tiết kiệm ngân sách. - Đào tạo đ−ợc đội ngũ cán bộ nghiên cứu chuyên sâu trong lĩnh vực nghiên cứu phát triển và nghiên cứu ứng dụng kỹ thuật siêu cao tần phục vụ trực tiếp cho ch−ơng trình sản xuất rađa của Việt nam. 12. Nội dung nghiên cứu: - Nghiên cứu tổng quan, thu thập tài liệu và các công trình đã có liên quan đến đề tài; lựa chọn công nghệ của n−ớc ngoài phù hợp với công nghệ Việt Nam nhằm tạo ra đ−ợc sản phẩm có chất l−ợng cao có thể áp dụng trong thực tế. - Nghiên cứu ứng dụng công nghệ mới để thiết kế, chế tạo mạch tích hợp thụ động SCT (bộ chuyển mạch điốt PIN, bộ lọc SCT, bộ cộng/ chia công suất, bộ trộn tần cân bằng). - Nghiên cứu ứng dụng công nghệ mới để thiết kế chế tạo mạch tích hợp tích cực SCT (bộ dao động siêu cao tần VCO, bộ khuếch đại SCT tạp thấp). - Sử dụng các thiết bị đo của PTN Rađa để đo đạc, hiệu chỉnh và lấy các đặc tr−ng của các sản phẩm. - Khảo sát độ ổn định và nghiên cứu giải pháp nâng cao tính ổn định của các sản phẩm - Thử nghiệm độ bền cơ học, thử rung xóc, khả năng chịu nhiệt độ. - Hoàn thiện sản phẩm - Thử nghiệm thực tế: 04 sản phẩm sẽ đ−ợc thử nghiệm trên đài rađa Π - 37. Nội dung cụ thể: - Nghiên cứu các giải pháp thiết kế chuyển mạch điốt PIN. - Nghiên cứu các giải pháp thiết kế bộ khuếch đại tạp thấp. - Nghiên cứu thiết kế chế tạo 02 bộ chuyển mạch điốt PIN và 02 bộ khuếch đại tạp thấp dải rộng trên mạch dải, lắp thử nghiệm vào 02 kênh thu của đài rađa Π-37. - Nghiên cứu nguyên lý tạo dao động siêu cao tần. - Thiết kế chế tạo 02 bộ dao động bán dẫn VCO ứng dụng làm dao động ngoại sai cho 02 kênh thu của đài rađa Π-37. Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực SCT sử dụng phần mềm thiết kế mạch SCT và c