Vô tuyến điện đại cương - Chương 10: Dao động
1. Tiểu chuẩn cho dao động 2. Dao động Clapp 3. Dao động biến thiên tần số 4. Giới hạn độ lợi 5. Dao động tinh thể
Bạn đang xem nội dung tài liệu Vô tuyến điện đại cương - Chương 10: Dao động, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
VÔ TUYẾN ĐIỆN
ĐẠI CƯƠNG
TS. Ngô Văn Thanh
Viện Vật Lý
Hà Nội - 2016
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 2
Tài liệu tham khảo
[1] David B. Rutledge, The Electronics of Radio (Cambridge University Press 1999).
[2] Dennis L. Eggleston, Basic Electronics for Scientists and Engineers (Cambridge
University Press 2011).
[3] Jon B. Hagen, Radio-Frequency Electronics: Circuits and Applications (Cambridge
University Press 2009).
[4] Nguyễn Thúc Huy (1998), Vô tuyến điện tử, NXB KHKT
[5] Đỗ Xuân Thụ, Nguyễn Đức Nhuận (1990), Kỹ thuật điện tử, NXB KHKT
[6] Phạm Văn Đương (2004), Cơ sỡ kỹ thuật khuếch đại, NXB KHKT
Website :
Email : nvthanh@iop.vast.ac.vn
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 3
CHƯƠNG 10. Dao Động
1. Tiểu chuẩn cho dao động
2. Dao động Clapp
3. Dao động biến thiên tần số
4. Giới hạn độ lợi
5. Dao động tinh thể
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 4
1. Tiểu chuẩn cho dao động
Criteria for Oscillation
Tiêu chuẩn chung:
Bộ khuếch đại : G
Tín hiệu vào x và tín hiệu ra là y
Mạch hồi tiếp đặc trưng bởi độ suy hao L
• Tất cả các đại lượng đều là số phức
Nếu G L : x và y phải bằng zero => không có dao động
Nếu G L : cùng biên độ và pha
• Biên độ :
• Pha :
• Biên độ suy hao là đường nằm ngang
Độ lợi và độ dịch pha của mạch khuếch đại phải
bù lại phần suy hao do mạch hồi tiếp
Tiêu chuẩn về biên độ :
Tiêu chuẩn về pha :
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 5
2. Dao động Clapp
Clapp Oscillator
Mạch dao động biến tấn cộng hưởng LC
VFO : Variable-frequency oscillator
Mạch dao động sử dụng JFET cực nguồn dẫn theo
Mạch dao động Colpitts : hồi tiếp qua mạch chia tụ điện
Mạch dao động Hartley : hồi tiếp qua cuộn cảm
Mạch dao động Clapp
Gần giống với mạch dao động Colpitts.
Còn gọi là mạch JFET VFO
Mạch Clapp tương đương cho tín hiệu bé
JFET được thay bởi nguồn dòng, nguồn cung cấp được tiếp mát
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 6
2. Dao động Clapp
Phân tích mạch:
Điện áp giữa gate-source :
• Tương ứng với tín hiệu vào x
• Dòng qua cực máng Id : ~ y
• Độ lợi của tín hiệu bé:
• Không có sự dịch pha
Điều kiện cộng hưởng :
• Điện kháng trên hai nhánh của mạch
hồi tiếp phải triệt tiêu lẫn nhau
• Điện dung của mạch nối tiếp
• Thay vào ta có
• Dòng điện trên nhánh hồi tiếp :
• Điện áp giữa gate-source :
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 7
2. Dao động Clapp
Điện áp trên cực source :
Viết lại điện áp giữa gate-source :
Độ suy hao :
Độ lợi ban đầu phải thoả mãn điều kiện:
Điện áp trên cực gate :
Xét trường hợp :
Ta có:
Độ suy hao
Điều kiện ban đầu :
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 8
3. Dao động biến thiên tần số
Variable-Frequency Oscillator
Xét hệ số nhiệt của một đại lượng x bất kỳ:
Biểu diễn qua hàm logarithm
Xét tần số cộng hưởng
Biểu diễn qua hàm logarithm
Hệ số nhiệt độ của tần số
• : là hệ số nhiệt của cuộn cảm và tụ điện
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 9
4. Giới hạn độ lợi
Gain Limiting
Mạch VFO (Variable-frequency oscillator)
Độ lợi phụ thuộc vào diode tách sóng (detector)
• Diode tách sóng bắt đầu dẫn khi điện áp ở cực gate là cực đại dương
• Khi diode dẫn, nó kéo các hạt tải chạy qua các tụ điện, làm cho cực gate phân cực âm
=> làm giảm độ lợi ban đầu gm
Khi điều kiện đầu vẫn còn thoả mãn thì dao động vẫn tăng :
• Dao động sẽ không tăng khi điều kiện ban đầu đã thoả mãn điều kiện (cân bằng)
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 10
4. Giới hạn độ lợi
Điện áp trên cực gate và sourse :
• Cả hai điện áp đều có dạng sóng hình sin
Điện áp đỉnh đối đỉnh của cực source : V
Điện áp đỉnh đối đỉnh của cực gate : 2V
Trong bộ dao động biến tần VFO:
Điện áp bù trên cực gate:
• Vf : điện áp chuyển cho diode giới hạn
Điện áp giữa 2 cực gate-sourse = hiệu của 2 điện áp
Điện áp cực đại giữa cực gate-sourse :
Thay công thức trên vào ta có
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 11
4. Giới hạn độ lợi
Xét JFET ở trạng thái khởi động
Định nghĩa : Độ hỗ dẫn tín hiệu lớn
V, I : giá trị đỉnh-đỉnh của thành phần cơ bản
• V : điện áp gate-source; I : dòng drain (cực máng)
Điều kiện dao động :
Dòng điện cực drain :
• Idss : dòng khi điện áp Vgs = 0 ;
• Vc : điện áp cắt (để dòng = 0),
điện áp cut-off
Điện áp DC qua cực drain xác định
qua dòng cực đại drain :
Sử dụng biểu thức gần đúng
Cuối cùng ta có :
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 12
5. Dao động tinh thể
Crystal Oscillators
Mạch dao động thạch anh, mạch tương đương
Mạch cực phát dẫn
Điện trở nội phân cực : Re, Rb ; Ra : điện trở tải nội (internal)
C1, C2 : tụ điện ngoài, đóng vai trò mạch chia điện áp
X : cộng hưởng tinh thể ngoài (thạch anh)
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 13
5. Dao động tinh thể
Xét mạch có tín hiệu bé
Dòng đi qua cực góp (tín hiệu ra)
• : tín hiệu vào
Độ lợi tín hiệu bé
Mạch dao động tinh thể :
tương đương với mạch gồm:
tụ điện và cuộn cảm
chuyển động : Cm , Lm
Điều kiện pha tại tần số cộng hưởng
Tần số cộng hưởng
Điện dung tổng cộng :
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 14
5. Dao động tinh thể
: điện trở tải
: độ dẫn của diode cực gốc-phát
• I : dòng DC cực gốc phân cực
• Vt : điện áp nhiệt (thermal)
Vt = 25 mV ở nhiệt độ phòng
Thay thế các điện trở bằng điện trở
tương đương R song song
với dòng nguồn
• Giả thiết: điện tích Q lớn
Điện trở R :
Điều kiện khởi động :
Ngô Văn Thanh – Viện Vật lý @ 2016 15
5. Dao động tinh thể
Xét tín hiệu lớn
Giá trị đỉnh-đỉnh của dòng cực phát, Io là dòng DC của nó
Giá trị đỉnh-đỉnh của điện áp ra trên điện trở tải cực phát
Nếu đóng vai trò chủ yếu
• Bỏ qua các số hạng khác
của điện trở
Viết lại biểu thức