Đề tài Giải pháp nhằm nâng cao tính an toàn cho hệ thống máy tính tại trung tâm giao dịch chứng khoán
(Bản scan) Việc chếbtạo cấu trúc MQW với vâtkm liệu thuộc nhóm III gặp nhiều khó khăn vie nhiệt độ tráng phủ tối ưu của lớp giếng lượng tử INGaN và lớp rào Gan chech lẹch khá lớn. Nhiệt độ tráng pủ tố ưu của lớp ráo GaN thườngkhoảng 1000đọ C, cao hơn nhiều so với nhiệt độ của lớp giếng Ingan
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- 5.PDF
- 0_3.PDF
- 1_2.PDF
- 2.PDF
- 3.PDF
- 4_2.PDF
- 6_2.PDF
- 7.PDF
- 8.PDF
- TranBinhTinh.jpg